装置統括部Semiconductor Dept.

装置統括部では、日本酸素が国内外に供給しているMOCVD装置とその関連装置について、設計・製造を行っています。
MOCVD装置を用いて製造された化合物半導体製品は、家庭用の照明や赤緑青の信号灯用LEDから、Blu-ray再生用のレーザダイオード、携帯電話基地局に搭載される発信機用FETなどに至るまで、近年、大きくその活躍の場を広げています。

製品ラインナップ

量産向けMOCVD装置

UR26K

UR26Kは、8インチウェハを6枚一度に成膜することを可能にした、量産向けGaN用MOCVD装置です。マイクロLEDやパワー制御向けトランジスタ用ウェハの製造用途として設計されました。このMOCVD装置には、大規模生産工場での運用を想定して、ウェハカセット方式の搬送システムや炉内部品洗浄システムが付属しています。

研究開発向けMOCVD装置

SR4000

SR4000は、4インチウェハ1枚、または2インチウェハ3枚の成膜に対応した、研究開発向けの小型MOCVD装置です。成膜温度は制御温度で1350℃までを可能とし、日本酸素独自のガスフロー構造と合わせて、高品質なAlGaN膜の成膜を実現しました。
パワー制御向けAlGaNデバイスやAlGaN紫外光LED開発向けとして、さまざまな研究機関で活躍しています。

Ga2O3用MOCVD装置

FR2000

FR2000は、次世代パワーデバイス用材料として注目される、Ga2O3（酸化ガリウム）の薄膜成膜を目的として開発されたMOCVD装置です。従来のMOCVD装置とは異なり、酸素を原料とする酸化物CVDであるため、ガスフローや加熱方式に関する工夫が新たに盛り込まれています。

参考：日本酸素MOCVD事業ホームページ
https://nsc.jp.nipponsanso.com/mocvd/

MOCVD装置とは

近年の社会をより豊かなものへと劇的に変化させたLED 照明やスマートフォン。その基幹部品に欠かせない材料が、さまざまな特性を備えた化合物半導体です。
日本酸素は、化合物半導体の製造に必要となるMOCVD 装置の開発にいち早く取り組み、その安定した性能は世界トップレベルと評価されています。

電子部品の製造工程では、ウェハと呼ばれる土台の表面に半導体の薄い膜を形成する「成膜」という工程が欠かせません。化合物半導体デバイスは、特性の異なる化合物半導体の薄膜をウェハ上に何層も繰り返し重ねていくことで、LEDやトランジスターなどの発光機能や電力制御機能の形成を可能にしています。

このような成膜の技術の一つが「CVD（Chemical Vapor Deposition： 化学気相成長）」と呼ばれる手法で、これを応用して、原料に有機金属（Metal-organic）を利用しながら化合物半導体の成膜を行うのがMOCVD（Metal-organic Chemical Vapor Deposition）装置です。

化合物半導体とは？

シリコン(Si)を超えた次世代の半導体材料で、複数の元素を化学反応させて性能を向上させたものです。従来のシリコン半導体よりも「電気を光に変える特性」や「高い電子移動度」「耐電圧破壊性」など優れた特性を持ち、LEDや半導体レーザー、トランジスターなどに広く使用されています。

提供サービス

  • 設計

    機構部品の機械設計、配管レイアウトを決定するための実装配管設計など、CADを必要とする場面は多岐にわたります。

  • 組立製造

    数百点から千点にも及ぶ加工部品は、全てについて厳密な検品が行われた後、組立工程へと送られます。 装置の組立には「機構部品組立」「配管組立」「電気システム組立」などの多様な技術が求められるため、各分野の社内エキスパートが共同で作業を行います。

  • 成膜テスト

    納入時に完成した装置で成膜テストを実施したうえで、お客様への引き渡しを行います。日本酸素ATIにはプロセス技術を保有するエンジニアも在籍し、日本酸素のつくば研究所でデモサンプルの作成や成膜評価を実施することも可能です。（日本酸素CSE事業部所管）

事業紹介